高纯金属原料的纯度高于杂质原料。杂质通常包括两类：化学(元素)和物理(晶体缺陷)。但是，物理杂质这个概念只有在高纯金属原料非常纯净的情况下才有意义。因此，在生产过程中，通常仍然把化学杂质的含量作为衡量金属材料纯度的标准，也就是金属原料总含量减去杂质的百分比，通常用N(nine的首字母)表示，例如，6N是99.9999%,7N是99.99999%。此外，用载流子浓度(atom/cm3)和低温迁移率(cm2V-1S-1)表示半导体材料的纯度，用RRR为剩余电阻率，RRR为纯度级R(Reinheitgrad)表示纯度，其中RRR=p298k/p4.2k(RRR=金属材料在常温时电阻值为4.2k，液氦温度低于4.2k),R=﹣[lg(100-W)](W=主要金属材料含量，如果金属材料的含量为99.999%，则R=lg(100-99.999)=3)。

       在纯度方面，国际上没有统一的定义标准，实际上，“高纯度”只有相对的含义，是目前技术上可以达到的标准。随着提纯技术和检测水平的提高，金属材料的纯度也在不断提高，例如，过去高纯金属材料的杂质一般为ppm级(百万分之一)，超纯半导体材料的杂质一般为ppb级(十亿分之一)，然后逐步发展到ppt级(十亿分之一)。同时各种金属材料的提纯也存在着不同程度的困难，如半导体材料中的硅、锗在9N上称高纯，难熔金属材料在6N上称超高纯。

       高纯金属主要应用于电子化工材料和特殊合金材料，随着大规模集成电路的发展，计算机等电子电器产品的市场规模迅速扩大，人们对高纯金属的需求也越来越大，高纯金属作为一种基质材料被用来制备高纯试剂，用于磁性记录材料、磁敏传感器材料、光电材料和集成电路、氢化催化材料、大规模集成电路、原子反应堆保护材料、生物材料、航空发动机、低膨胀合金等高技术领域。高纯、高纯和高纯金属材料的制备、性能及应用，是现代材料科学与工程领域中一个新兴的研究领域，随着高新技术的发展，对其提出了更高的要求，也成为今后发展的方向。