高纯金属是现代多种高新技术的综合产物

       高纯金属是现代高科技的综合产物。随着半导体技术、航空航天和无线电技术的发展，对金属纯度的要求越来越高，这极大地促进了高纯金属生产的发展。因为当金属未能达到一定纯度时，金属的特性往往被杂质所掩盖，所以微量杂质甚至超微量杂质的存在都会影响金属的性能。比如以前灯泡的灯丝用的是钨，比较脆，不好处理。但是经过适当的提纯，这个缺点是可以克服的(钨丝也有掺杂和加工的问题)。当金属纯度增加时，杂质对金属性能的影响可以进一步阐明。因此，高纯金属的制备不仅可以为金属性能的科学研究创造有利条件，而且可以更好地为工业生产服务。

       金属的纯度是相对于杂质而言的，杂质广义上包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要指位错和空位。,化学杂质是指以替代物或填充物的形式结合到基质外部的原子。但是，物理杂质的概念只有在金属纯度达到非常高的标准(例如纯度高于9N的金属)时才有意义。所以在生产中，一般用化学杂质含量作为评价金属纯度的标准，用主金属的百分比减去总杂质含量来表示，常表示为N(N(9)的首字母)，例如99.999%写成6N，99.999%写成7N。

       目前，高纯度金属纯度的表达方式主要有两种:一种是表达材料的使用，如“光谱纯度”和“电子纯度”；另一种是通过一些特征来表达。例如，半导体材料用载流子浓度表示，即1立方厘米基体元素中导电杂质的数量，而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度等级r表示。

       随着材料加工技术的提高，金属的纯度在不断提高，但不可能制备出绝对纯净的金属。所谓“高纯度”和“超纯”是相对意义上的，指的是技术标准。随着科学技术的发展，“高纯度”和“超纯度”的标准在不断升级。比如过去高纯金属的杂质是ppm(即百万分之一)，超纯半导体材料的杂质是ppb(十亿分之一)，现在逐渐用ppb(十亿分之一)和ppt(万亿分之一)表示。同时，每种金属的提纯难度也不同。比如半导体材料，据说9N以上是高纯，而高达6N的难熔金属是超高纯。